截至 2022 年第一季度，ASML 已出货 136 个 EUV 系统，约曝光7000 万个晶圆已曝光。

　　有几个选项可用于降低有效吸收器高度，从而降低 3D 掩模效果的影响。第一个也是最简单的方法是减小吸收材料的厚度。

　　这种光刻胶使用入射光子来分解氧化锡纳米团簇。氧化物簇可溶于显影剂中，而金属锡则不溶这些是负性光刻胶。曝光使材料不溶。

　　指出，ASML 开发了新的 EUV pellicles。同时，Imec 的碳纳米管pellicles在 ASML 的 EUV 扫描仪上的透射率达到了 97.7%。单壁和多壁pellicles都是有前途的。

　　按照Imec 技术人员的主要成员 Emily Gallagher 所说：这两种类型都表现良好，在 CD 均匀性、LWR 和耀斑方面，与无pellicle参考相比，成像差异极小。根据测量的这些pellicle的 EUV 吸收率在 95.3% 到 97.7% 之间，预计剂量会略有增加。

　　写在最后

　　在生态系统的共同努力下，ASML正在努力土推动High-NA光刻机成为可能。与此同时，他们还在加大EUV光刻机的产能提升，并与产业一起，推动这些先进的技术面向更多的应用。

　　根据ASML 在一季度财务会议上披露的数据，公司的目标是在 2022 年出货 55 台 EUV系统，并到 2025 年实现90 台工具的计划。ASML 同时还承认， 90 台可能超过 2025 年的实际需求，不过他们将其描述为为满足2030 年 1 万亿美元半导体行业需求所做出的巨大努力。

　　Christophe Fouquet在高盛的会议上则强调，High NA EUV光刻机将首先在逻辑芯片上应用，随后，DRAM乃至3D DRAM也会是High NA EUV光刻机关注的方向。