荷兰阿斯麦 公司宣布，其首台采用 0.55 数值孔径 投影光学系统的高数值孔径 极紫外 光刻机已经成功印刷出首批图案，这标志着 ASML 公司以及整个高数值孔径 EUV 光刻技术领域的一项重大里程碑。

　　ASML 公司在目前世界上仅有两台高数值孔径 EUV 光刻系统：一台由 ASML 公司在其荷兰埃因霍芬总部建造，另一台则正在美国俄勒冈州 Hillsboro 附近英特尔公司的 D1X 晶圆厂组装。

　　ASML 公司似乎是第一家宣布使用高数值孔径 EUV 光刻系统成功进行图案化的公司，这对于整个半导体行业来说都是一个重大突破。值得一提的是，ASML 公司的 Twinscan EXE:5000 型光刻机将仅用于其自身研发以及技术改进。

　　英特尔公司则将利用其 Twinscan EXE:5000 型光刻机学习如何使用高数值孔径 EUV 光刻技术进行芯片量产。英特尔计划将其用于其 18A 制程工艺的研发，并将在未来的 14A制程产线中部署下一代 Twinscan EXE:5200 型光刻机。

　　与目前 13nm 分辨率的 EUV 光刻机相比，ASML 公司配备 0.55 NA 镜头的新型 Twinscan EXE:5200 型光刻机能够实现 8nm 的超高分辨率，这是一个显著的提升。这项技术允许在单次曝光下印刷出尺寸减小 1.7 倍、晶体管密度提高 2.9 倍的晶体管。相比之下，传统的低数值孔径 系统虽然可以达到相同的精度，但却需要使用昂贵的双重曝光技术。

　　实现 8nm 制程对于制造计划在 2025-2026 年上市的 3nm 以下制程芯片至关重要。高数值孔径 EUV 技术的引入将消除对 EUV 双重曝光的需求，从而简化生产流程、有可能提高产量并降低成本。然而，每台高数值孔径光刻机的价格高达 4 亿美元，并且在应用于尖端制程工艺的过程中会遇到诸多挑战。