科学家近日研发了新型内存，

　　该论文叫做铁二极管存储器件使用 45 纳米合成 AIScN薄层，可以在外部电场移除后保留电状态。测试原型在低于 15V 的电压下，已在 600 摄氏度下测试运行超过 60 小时。

　　该项目由来自宾夕法尼亚大学的 Deep Jariwala 带领，他表示：“从钻探地球深部到探索太空，我们的高温存储设备可以带来先进的计算，而其他电子设备和存储设备则无法做到这一点。这不仅仅是改进设备，而是开辟了新的领域”。

　　附上参考地址